半导体开发商4DS公告其ReRAM技术取得高于预期突破 股价应声飙涨

ACB News《澳华财经在线》8月28日讯 半导体开发商4DS Memory Limited(ASX:4DS)近日发布公告称，该公司已成功完成对其第四平台批次的分析，并获得优于董事会和管理团队预期的结果。

公告称，对第四平台批次的分析证实，4DS Memory Limited的ReRAM（非易失性存储器）技术已经实现以下成果：成功地将其ReRAM存储单元集成到imec兆位阵列中；验证了其接口交换ReRAM技术可转让性；展示了具有4DS接口切换ReRAM存储单元的全功能兆位阵列；表现出与动态随机存取存储器（DRAM）相当的读写速度；在兆位阵列上以与DRAM相当读写速度展示出超过20亿次循环的耐久性；表现出具有可变和可调保留能力的持久记忆。

4DS Memory Limited首席技术官Ting Yen表示，“我们对与imec的合作及其提供的全面工程支持感到非常满意，正是这些支持使这一重大成就成为可能。”

( 图片来源：《澳华财经在线》)

Ting Yen进一步称，“这些重要且稳健的结果验证了4DS优化策略以及在4DS弗里蒙特工厂为兆位阵列建立imec定制测试硬件和软件决定的有效性。”

4DS Memory Limited临时执行主席David McAuliffe则表示，“这些兆位阵列结果是公司的转折点，将影响董事会未来几个月的战略规划。我谨祝贺4DS和imec团队实现了这一里程碑，并感谢股东们的持续支持。”

（图片来源：4DS Memory Limited公告）

该公司声明称，在接下来的几周内，将继续对兆位阵列进行更多分析，并计划于10月初与imec举行会议，讨论战略计划。

4DS Memory Limited上周三发布公告后，该股早盘飙涨142%，创52周新高。当日股价收涨89%，收于每股12.5澳分。

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