美国没想到,中国三大芯片产品,都攻破了美日荷防线(图)

目前全球种类最多，价值最高的两大种芯片，分别是逻辑芯片，和存储芯片，其中存储芯片主要是NAND存储芯片，DRAM芯片。这两大种类的芯片，三大芯片产品，占到全球所有芯片价值的85%以上。 逻辑芯片方面，当然是美国称雄，而存储芯片，则是韩国最强，因为韩国是美国的小弟，所以四舍五入，韩国称雄，也相当于美国称雄。


再考虑到美国一直以来，占了全球50%左右的芯片市场份额，所以绝不允许任何国家和地区，能在芯片产业上挑战美国。 因为靠着芯片，美国不仅可以收割全球的经济利益，还可以基于芯片，对全球进行制裁，获得一些政治利益。 所以，当美国看到中国芯片产业崛起后，坐不住了， 联合日本、荷兰，构建了一条严密的防线，借此来打压中国芯片产业。


在美国的计划里，要锁死中国的逻辑芯片制造工艺在14nm，不能再前进。锁死NAND闪存芯片技术在128层，不能再前进，锁死DRAM内存芯片在18nm，不能再前进。 可以用于生产防线下的芯片的设备，全部不能卖给中国芯片厂商。在美国看来，一旦达到这三个目标，那么中国生产的这两大类芯片，均是属于成熟芯片，那么先进芯片就还是美国说了算。


不过，美国万万没想到的是，在美国、日本、荷兰三个国家的防线之下，中国也会有突破，在三大领域，均攻破了防线。 逻辑芯片方面，美国没能锁死在14nm工艺，我们已经往14nm之下，再前进了好几步，我们已经实现了更先进的芯片工艺，具体是多少，不便多言，大家知道麒麟9000S麒麟9010芯片就行了，它肯定不是14nm的，比这个先进多了。 再看NAND闪存方面，前段时间，有媒体报道称，长存之有基于国外设备，早就生产出了232层的3D NAND闪存。


后来被打压，长存进行国产设备替代，基于国产设备，都生产出了160L的3D NAND闪存，其存储密度，不输三星、SK海力士等大厂，明显也是突破了防线。 再看DRAM方面，长鑫也有了突破，产品线涵盖LPDDR5、DDR4等先进产品，其自主研发的DRAM芯片产品，成功打破了国际巨头的垄断，实现了从0到1的突破。 按照机构的预测，长鑫DRAM产能今年年底将增至20万片，明年将增至30万片，这意味着长鑫存储占全球产量的15%，几乎赶上了第三名的美光（约20%）。 可见，在美国、日本、荷兰的围堵之下， 中国芯在美国最严密的防线下，我们都实现了三大产品线的突破，这估计也是美国万万没有想到的，不知道接下来，美国又会出什么阴招？